BC847BQAZ

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BC847BQAZ概述

DFN-D NPN 45V 0.1A

* General-purpose transistors * Three current gain selections * Low package height of 0.37 mm * Suitable for Automatic Optical Inspection AOI of solder joint * AEC-Q101 qualified


得捷:
NOW NEXPERIA BC847BQA - SMALL SI


艾睿:
NPN General-Purpose Transistor


安富利:
NPN general-purpose transistors in a leadless ultra small DFN1010D-3 SOT1215 Surface-Mounted Device SMD plastic package with visible and solderable side pads.


BC847BQAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BC847BQAZ
型号: BC847BQAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D NPN 45V 0.1A

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