BLF6G27LS-75,112参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLF6G27LS-75,112概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B Blister

RF Mosfet LDMOS 28V 600mA 9W SOT502B

得捷:
RF FET LDMOS 65V SOT502B

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3-Pin SOT-502B Blister

Win Source:
RF FET LDMOS 65V SOT502B

BLF6G27LS-75,112中文资料参数规格

技术参数

额定电流 18 A

输出功率 9 W

测试电流 600 mA

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G27LS-75,112

型号： BLF6G27LS-75,112

制造商： Ampleon USA

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B Blister