INFINEON BSS83PH6327XTSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS83PH6327XTSA1, 330 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET P-Ch SOT-23-3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 60 V, 330 mA, 1.4 ohm, SOT-23, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 0.33A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -330 mA, -60 V, 1.4 ohm, -10 V, -1.5 V
额定功率 0.36 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 360 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
连续漏极电流Ids 0.33A
上升时间 71 ns
输入电容Ciss 78pF @25VVds
下降时间 61 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 车用, 电源管理, Onboard charger, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, 电机驱动与控制, 计算机和计算机周边, 消费电子产品, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, 便携式器材, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17