BZX85C5V1 R0

BZX85C5V1 R0图片1
BZX85C5V1 R0图片2
BZX85C5V1 R0中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1300 mW

测试电流 45 mA

稳压值 5.1 V

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

封装 DO-41

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

数据手册

在线购买BZX85C5V1 R0
型号: BZX85C5V1 R0
制造商: Taiwan Semiconductor 台湾半导体
描述:Diode Zener Single 5.1V 5% 1.3W 2Pin DO-41 T/R
替代型号BZX85C5V1 R0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZX85C5V1 R0

Taiwan Semiconductor 台湾半导体

当前型号

当前型号

BZX85C5V1-TAP

威世

功能相似

BZX85C5V1 R0和BZX85C5V1-TAP的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台