BZT52H-B18,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BZT52H-B18,115中文资料参数规格

技术参数

容差 ±5 %

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 830 mW

测试电流 5 mA

稳压值 18 V

额定功率Max 375 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-123F

外形尺寸

封装 SOD-123F

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 14.2 mV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZT52H-B18,115

型号： BZT52H-B18,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOD-123F 18V 830mW

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