BZT52H-B12,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BZT52H-B12,115图片1

BZT52H-B12,115图片2

BZT52H-B12,115图片3

BZT52H-B12,115图片4

BZT52H-B12,115图片5

BZT52H-B12,115图片6

BZT52H-B12,115中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 830 mW

稳压值 12 V

正向电压Max 900mV @10mA

额定功率Max 375 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-123F

外形尺寸

封装 SOD-123F

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZT52H-B12,115

型号： BZT52H-B12,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：SOD-123F 12V 830mW

替代型号BZT52H-B12,115

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

BZT52H-B12,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BZT52H-C12,115

恩智浦

类似代替

BZT52H-B12,115和BZT52H-C12,115的区别

BZT52H-B12

安世

功能相似

BZT52H-B12,115和BZT52H-B12的区别