BC557BZL1G

BC557BZL1G图片1
BC557BZL1G图片2
BC557BZL1G图片3
BC557BZL1G图片4
BC557BZL1G图片5
BC557BZL1G图片6
BC557BZL1G图片7
BC557BZL1G图片8
BC557BZL1G图片9
BC557BZL1G图片10
BC557BZL1G图片11
BC557BZL1G图片12
BC557BZL1G图片13
BC557BZL1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC557BZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE

- 双极 BJT - 单 PNP 320MHz 通孔 TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A TO92


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 50V PNP


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Fan-Fold


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo


Win Source:
TRANS PNP 45V 0.1A TO92 / Bipolar BJT Transistor PNP 45 V 100 mA 320MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226


BC557BZL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 320 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC557BZL1G
型号: BC557BZL1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC557BZL1G  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 320 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE
替代型号BC557BZL1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC557BZL1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC557BZL1

安森美

完全替代

BC557BZL1G和BC557BZL1的区别

BC557BRL1G

安森美

类似代替

BC557BZL1G和BC557BRL1G的区别

BC557BG

安森美

类似代替

BC557BZL1G和BC557BG的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台