BU5281G-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

BU5281G-TR概述

高速低电压CMOS运算放大器 High Speed with Low Voltage CMOS Operational Amplifiers

General Purpose Amplifier 1 Circuit 5-SSOP

得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 5SSOP

安富利:
OP Amp Single GP 5.5V 5-Pin SSOP T/R

Chip1Stop:
OP Amp Single GP 5.5V 5-Pin SSOP T/R

DeviceMart:
IC OP AMP SGL LV HS CMOS 5-SSOP

Win Source:
IC OPAMP GP 3MHZ 5SSOP

BU5281G-TR中文资料参数规格

技术参数

供电电流 750 µA

电路数 1

通道数 1

共模抑制比 60 dB

增益频宽积 3 MHz

输入补偿电压 100 µV

输入偏置电流 1 pA

增益带宽 3 MHz

耗散功率Max 540 mW

共模抑制比Min 45 dB

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 1.8 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SSOP-5

外形尺寸

封装 SSOP-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BU5281G-TR引脚图与封装图

在线购买BU5281G-TR

型号： BU5281G-TR

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：高速低电压CMOS运算放大器 High Speed with Low Voltage CMOS Operational Amplifiers

替代型号BU5281G-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BU5281G-TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
BU5281SG-TR 罗姆半导体	完全替代	BU5281G-TR和BU5281SG-TR的区别
BU7241G-TR 罗姆半导体	类似代替	BU5281G-TR和BU7241G-TR的区别
BU7261G-TR 罗姆半导体	类似代替	BU5281G-TR和BU7261G-TR的区别