BZT52C10-V-GS08参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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BZT52C10-V-GS08图片2

BZT52C10-V-GS08中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 410 mW

测试电流 5 mA

稳压值 10 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOD-123

外形尺寸

长度 2.85 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.25 mm

封装 SOD-123

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZT52C10-V-GS08

型号： BZT52C10-V-GS08

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：小信号齐纳二极管 Small Signal Zener Diodes

替代型号BZT52C10-V-GS08

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZT52C10-V-GS08 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BZT52C10 威世	类似代替	BZT52C10-V-GS08和BZT52C10的区别
BZT52C10-7-F 美台	功能相似	BZT52C10-V-GS08和BZT52C10-7-F的区别
BZT52C10-TP 美微科	功能相似	BZT52C10-V-GS08和BZT52C10-TP的区别