小信号N沟道SOT23封装场效应管
表面贴装型 N 通道 200mA(Ta) SOT-23-3(TO-236)
得捷:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
小信号N沟道SOT23封装场效应管
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
漏源极电阻 3.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 225mW Ta
输入电容 50.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 200 mA
输入电容Ciss 50pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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