Infineon BFN26E6327HTSA1 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=300 V, HFE:30, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
高电压，
得捷:
TRANS NPN 300V 0.2A SOT23
欧时:
Infineon BFN26E6327HTSA1 , NPN 晶体管, 200 mA, Vce=300 V, HFE:30, 70 MHz, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Hi-Volt TRANSISTORS
艾睿:
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
AF TRANSISTORS
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 300V 0.2A 360mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS NPN 300V 0.2A SOT-23
频率 70 MHz
额定电压DC 300 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 360 mW
增益频宽积 70 MHz
击穿电压集电极-发射极 300 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 30 @30mA, 10V
额定功率Max 360 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 360 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Suitable for video output stages TV sets and switching power supplies
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BFN26E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BFN26E6433HTMA1 英飞凌 | 完全替代 | BFN26E6327HTSA1和BFN26E6433HTMA1的区别 |