INFINEON BFR181WH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 100 hFE 新
射频双极，
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
欧时:
Infineon BFR181WH6327XTSA1 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS
e络盟:
晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 100 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Chip1Stop:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 175mW; SOT323
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Newark:
# INFINEON BFR181WH6327XTSA1 TRANSISTOR, RF, AECQ101, NPN, SOT-323-3 New
Win Source:
TRANS RF NPN 12V 20MA SOT323
频率 8000 MHz
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 175 mW
输入电容 0.35 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 19 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 8V
额定功率Max 175 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 175 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99