BAS33-TAP参数规格_中文资料_数据手册PDF

BAS33-TAP概述

Vishay Semiconductor### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor

Diode Standard 30V 200mA Through Hole DO-35

得捷:
DIODE GEN PURP 30V 200MA DO35

艾睿:
Diode Small Signal Switching 40V 0.2A Automotive 2-Pin DO-35 Ammo

安富利:
Diode Small Signal Switching 40V 0.2A 2-Pin DO-35 Ammo

BAS33-TAP中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1V @100mA

正向电流 200 mA

正向电压Max 1 V

正向电流Max 200 mA

工作温度Max 175 ℃

工作结温 175℃ Max

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Box TB

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BAS33-TAP

描述：Vishay Semiconductor ### 二极管和整流器，Vishay Semiconductor