BF423ZL1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BF423ZL1G概述

ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE

高电压，

### 标准

带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BF423ZL1G中文资料参数规格

技术参数

频率 60 MHz

额定电压DC -250 V

额定电流 -50.0 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 830 mW

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.5A

最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V

额定功率Max 830 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用工业, Industrial, Power Management, Industrial, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2018/01/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BF423ZL1G引脚图与封装图

在线购买BF423ZL1G

型号： BF423ZL1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BF423ZL1G 单晶体管双极, PNP, -250 V, 60 MHz, 830 mW, 100 mA, 50 hFE

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替代型号BF423ZL1G

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BF423 安森美	完全替代	BF423ZL1G和BF423的区别
BF423G 安森美	完全替代	BF423ZL1G和BF423G的区别
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