BSD816SNH6327XTSA1

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BSD816SNH6327XTSA1概述

Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列

Infineon
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* OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。

得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6


欧时:
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSD816SNH6327XTSA1, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 SC-88封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT SMALL SIGNAL N-CH


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363


BSD816SNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.5 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.4A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 126pF @10VVds

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买BSD816SNH6327XTSA1
型号: BSD816SNH6327XTSA1
描述:Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列 Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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