BAS85,135参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

BAS85,135图片1

BAS85,135图片2

BAS85,135图片3

BAS85,135图片4

BAS85,135图片5

BAS85,135图片6

BAS85,135图片7

BAS85,135图片8

BAS85,135中文资料参数规格

技术参数

正向电压 800mV @100mA

热阻 320℃/W RθJA

正向电流 200 mA

正向电压Max 800mV @100mA

正向电流Max 0.2 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 125℃ Max

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 Mini-MELF

外形尺寸

封装 Mini-MELF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BAS85,135

型号： BAS85,135

制造商： NXP 恩智浦

描述：DIODE SCHOTTKY 30V 200mA SOD80C

替代型号BAS85,135

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BAS85,135 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
BAS85T/R 恩智浦	完全替代	BAS85,135和BAS85T/R的区别
TMMBAT42FILM 意法半导体	功能相似	BAS85,135和TMMBAT42FILM的区别
TMMBAT43FILM 意法半导体	功能相似	BAS85,135和TMMBAT43FILM的区别