ON SEMICONDUCTOR BC337-40ZL1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE
The from On Semiconductor is a through hole, NPN amplifier transistor in TO-92 package.
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- Collector to emitter voltage Vce of 45V
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- Collector current Ic of 800mA
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- Power dissipation of 625mW
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- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
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- Collector emitter breakdown Voltage of 45V
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- Collector emitter saturation voltage of 700mV at 500mA collector current
频率 210 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 800 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 250
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
制造应用 Signal Processing, 工业, Industrial, Portable Devices, 便携式器材, 电源管理, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics, 信号处理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC337-40ZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC337-40RL1 安森美 | 完全替代 | BC337-40ZL1G和BC337-40RL1的区别 |
BC337-40ZL1 安森美 | 完全替代 | BC337-40ZL1G和BC337-40ZL1的区别 |
BC337-40RL1G 安森美 | 类似代替 | BC337-40ZL1G和BC337-40RL1G的区别 |