BC557BRL1G

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BC557BRL1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC557BRL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 320 MHz, 625 mW, -100 mA, 180 hFE

通用 NPN ,最大 1A,

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A TO92


欧时:
ON Semiconductor BC557BRL1G , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:120, 320 MHz, 3引脚 TO-92封装


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC557BRL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 320 MHz, 625 mW, -100 mA, 180 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin TO-92 T/R


BC557BRL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 320 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 180

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -50 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC557BRL1G
型号: BC557BRL1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC557BRL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 320 MHz, 625 mW, -100 mA, 180 hFE
替代型号BC557BRL1G
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BC557BRL1G

ON Semiconductor 安森美

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