BZT52H-B6V2,115

BZT52H-B6V2,115图片1
BZT52H-B6V2,115图片2
BZT52H-B6V2,115图片3
BZT52H-B6V2,115图片4
BZT52H-B6V2,115图片5
BZT52H-B6V2,115图片6
BZT52H-B6V2,115图片7
BZT52H-B6V2,115中文资料参数规格
技术参数

容差 ±2 %

正向电压 900mV @10mA

耗散功率 830 mW

测试电流 5 mA

稳压值 6.2 V

额定功率Max 375 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123F

外形尺寸

高度 1.2 mm

封装 SOD-123F

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

温度系数 2.05 mV/K

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BZT52H-B6V2,115
型号: BZT52H-B6V2,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOD-123F 6.2V 830mW
替代型号BZT52H-B6V2,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BZT52H-B6V2,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BZT52H-C6V2,115

恩智浦

类似代替

BZT52H-B6V2,115和BZT52H-C6V2,115的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台