BZV55-B51,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±2 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 500 mW
测试电流 2 mA
稳压值 51 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-80
外形尺寸
长度 3.7 mm
宽度 1.6 mm
高度 1.6 mm
封装 SOD-80
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 46.9 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BZV55-B51,115
替代型号BZV55-B51,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BZV55-B51,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BZV55-B51 恩智浦 | 完全替代 | BZV55-B51,115和BZV55-B51的区别 |
1N5262B NTE Electronics | 功能相似 | BZV55-B51,115和1N5262B的区别 |