BQ2201SN

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BQ2201SN概述

TEXAS INSTRUMENTS  BQ2201SN  芯片, SRAM非易失性控制器, 8-SOIC

General Description

The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCCinput for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write protect any standard CMOS SRAM.

Features

➤Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications

➤Write-protect control

➤3-volt primary cell inputs

➤Less than 10ns chip-enable propagation delay

➤5% or 10% supply operation

BQ2201SN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

输出电流 0.16 A

针脚数 8

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

BQ2201SN引脚图与封装图
BQ2201SN引脚图
BQ2201SN封装图
BQ2201SN封装焊盘图
在线购买BQ2201SN
型号: BQ2201SN
制造商: TI 德州仪器
描述:TEXAS INSTRUMENTS  BQ2201SN  芯片, SRAM非易失性控制器, 8-SOIC
替代型号BQ2201SN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ2201SN

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

BQ2201SN-N

德州仪器

完全替代

BQ2201SN和BQ2201SN-N的区别

BQ2201SN-NTR

德州仪器

完全替代

BQ2201SN和BQ2201SN-NTR的区别

BQ2201SN-NG4

德州仪器

完全替代

BQ2201SN和BQ2201SN-NG4的区别

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