TEXAS INSTRUMENTS BQ2201SN 芯片, SRAM非易失性控制器, 8-SOIC
General Description
The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.
A precision comparator monitors the 5V VCCinput for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write protect any standard CMOS SRAM.
Features
➤Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications
➤Write-protect control
➤3-volt primary cell inputs
➤Less than 10ns chip-enable propagation delay
➤5% or 10% supply operation
电源电压DC 5.00 V
输出电流 0.16 A
针脚数 8
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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