BQ2201PN

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BQ2201PN概述

SRAM控制单元

General Description

The CMOS bq2201 SRAM Nonvolatile Controller Unit provides all necessary functions for converting a standard CMOS SRAM into nonvolatile read/write memory.

A precision comparator monitors the 5V VCCinput for an out-of-tolerance condition. When out of tolerance is detected, a conditioned chip-enable output is forced inactive to write protect any standard CMOS SRAM.

Features

➤Power monitoring and switching for 3-volt battery-backup applications

➤Write-protect control

➤3-volt primary cell inputs

➤Less than 10ns chip-enable propagation delay

➤5% or 10% supply operation

BQ2201PN中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V

输出电流 0.16 A

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

电源电压Max 5.5 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 8

封装 PDIP-8

外形尺寸

封装 PDIP-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BQ2201PN引脚图与封装图
BQ2201PN引脚图
BQ2201PN封装图
BQ2201PN封装焊盘图
在线购买BQ2201PN
型号: BQ2201PN
制造商: TI 德州仪器
描述:SRAM控制单元
替代型号BQ2201PN
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BQ2201PN

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

BQ2201SNG4

德州仪器

完全替代

BQ2201PN和BQ2201SNG4的区别

BQ2201PNE4

德州仪器

完全替代

BQ2201PN和BQ2201PNE4的区别

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