放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon
Amplifier Transistors NPN Silicon
Features
•Pb−Free Packages are Available- .
得捷:
TRANS NPN 45V 0.8A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
Allied Electronics:
BC337-40RL1G, SS T092 GP XSTR NPN 45V
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 T/R
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 T/R
Win Source:
TRANS NPN 45V 0.8A TO92 / Bipolar BJT Transistor NPN 45 V 800 mA 210MHz 625 mW Through Hole TO-92 TO-226
频率 210 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
输出电压 ≤9.00 V
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC337-40RL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC337-40ZL1G 安森美 | 类似代替 | BC337-40RL1G和BC337-40ZL1G的区别 |
BC337-40-AP 美微科 | 类似代替 | BC337-40RL1G和BC337-40-AP的区别 |
BC337-040G 安森美 | 类似代替 | BC337-40RL1G和BC337-040G的区别 |