Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -30 V, 0.107 ohm, -10 V, -1.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
额定功率 0.5 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.107 Ω
极性 P-CH
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 294pF @15VVds
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free