BSS314PEH6327XTSA1

BSS314PEH6327XTSA1图片1
BSS314PEH6327XTSA1图片2
BSS314PEH6327XTSA1图片3
BSS314PEH6327XTSA1图片4
BSS314PEH6327XTSA1图片5
BSS314PEH6327XTSA1图片6
BSS314PEH6327XTSA1图片7
BSS314PEH6327XTSA1概述

Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -30 V, 0.107 ohm, -10 V, -1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23


BSS314PEH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.107 Ω

极性 P-CH

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 3.9 ns

输入电容Ciss 294pF @15VVds

下降时间 2.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

BSS314PEH6327XTSA1引脚图与封装图
BSS314PEH6327XTSA1引脚图
BSS314PEH6327XTSA1封装图
BSS314PEH6327XTSA1封装焊盘图
在线购买BSS314PEH6327XTSA1
型号: BSS314PEH6327XTSA1
描述:Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台