Infineon BFP181E7764HTSA1 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装
射频双极,
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
欧时:
Infineon BFP181E7764HTSA1 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R
额定电压DC 12.0 V
额定电流 20.0 mA
针脚数 4
耗散功率 175 mW
输入电容 0.4 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 17.5dB ~ 21dB
最小电流放大倍数hFE 70 @70mA, 8V
额定功率Max 175 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 175 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143-4
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-143-4
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99