BFP181E7764HTSA1

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BFP181E7764HTSA1概述

Infineon BFP181E7764HTSA1 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装

射频双极,


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4


欧时:
Infineon BFP181E7764HTSA1 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R


BFP181E7764HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 12.0 V

额定电流 20.0 mA

针脚数 4

耗散功率 175 mW

输入电容 0.4 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 17.5dB ~ 21dB

最小电流放大倍数hFE 70 @70mA, 8V

额定功率Max 175 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 175 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-143-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFP181E7764HTSA1
型号: BFP181E7764HTSA1
描述:Infineon BFP181E7764HTSA1 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装

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