BVSS84LT1G

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BVSS84LT1G概述

功率MOSFET的单P沟道SOT- 23 -50 V, 10 ? Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10

表面贴装型 P 通道 50 V 130mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)


立创商城:
BVSS84LT1G


得捷:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3


欧时:
PFET SOT23 50V 130MA 10.0


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 50 V, 130 mA, 4.7 ohm, SOT-23, 表面安装


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this BVSS84LT1G power MOSFET from ON Semiconductor. Its maximum power dissipation is 225 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3


BVSS84LT1G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 3

漏源极电阻 4.7 Ω

耗散功率 0.225 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 50 V

上升时间 9.7 ns

输入电容Ciss 36pF @5VVds

额定功率Max 225 mW

下降时间 1.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BVSS84LT1G
型号: BVSS84LT1G
描述:功率MOSFET的单P沟道SOT- 23 -50 V, 10 ? Power MOSFET Single P-Channel SOT-23 -50 V, 10
替代型号BVSS84LT1G
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