小信号P沟道SOT23封装场效应管
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.13A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 5Ω @-100mA,-5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.9--2.V 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| • Energy Efficient • Miniature SOT−23 Surface Mount Package Saves Board Space • Pb−Free Package is Available 描述与应用| •节能 •微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 •无铅包装是可用
得捷:
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
贸泽:
MOSFET 50V 130mA P-Channel
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R
力源芯城:
小信号P沟道SOT23封装场效应管
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -130 mA
漏源极电阻 10.0 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 225 mW
输入电容 30.0 pF
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 130 mA
上升时间 1 ns
输入电容Ciss 30pF @5VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 225mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS84LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BSS84LT1G 安森美 | 类似代替 | BSS84LT1和BSS84LT1G的区别 |
BSS84 安森美 | 类似代替 | BSS84LT1和BSS84的区别 |
BSS84-7-F 美台 | 功能相似 | BSS84LT1和BSS84-7-F的区别 |