INFINEON BFP196WH6327XTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, 70 hFE
射频双极，
得捷:
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
欧时:
Infineon BFP196WH6327XTSA1 , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=12 V, HFE:70, 7500 MHz, 4引脚 SOT-343封装
立创商城:
低噪声双极RF晶体管
贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.15A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.15A 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-343 T/R
Newark:
# INFINEON BFP196WH6327XTSA1 Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 7.5 GHz, 700 mW, 150 mA, 70
Win Source:
TRANS RF NPN 12V 150MA SOT343
频率 7500 MHz
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 700 mW
输入电容 3.9 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 12.5dB ~ 19dB
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 8V
额定功率Max 700 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343-4
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-343-4
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Communications & Networking, 工业, Industrial, 通信与网络, Wireless Communications, For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems., 电源管理, LNA in RF Front-end
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99