INFINEON BSS215PH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-23-3
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
得捷:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS215PH6327XTSA1, 1.18 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET P-Ch -20V -1.5A SOT-23-3
e络盟:
INFINEON BSS215PH6327XTSA1 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -1.5A, SOT-23-3
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23
额定功率 0.5 W
通道数 1
漏源极电阻 105 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 0.5 W
阈值电压 1.2 V
输入电容 260 pF
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 9.7 ns
输入电容Ciss 346pF @15VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger, 车用, Automotive
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17