FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC857S 双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | -45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | -200MA/-0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 125~630 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | -0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | PNP型Multi-Chip通用放大器 技术文档PDF下载 | 在线阅读
得捷:
0.2A, 45V, 2
艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
富昌:
BC857S 系列 45 V 200 mA PNP 多芯片 通用 放大器 - SC-70-6
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
Verical:
Trans GP BJT PNP 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC857S Bipolar Transistor Array, Dual PNP, -45 V, 300 mW, -200 mA, 125 hFE, SC-70
DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 45V 200MA SC70-6
Win Source:
TRANS 2PNP 45V 0.2A SC70-6
频率 200 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -200 mA
针脚数 6
极性 PNP
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 125
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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