INFINEON BFR183E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 100 hFE 新
射频双极,
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
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BFR183E6327HTSA1
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Infineon BFR183E6327HTSA1 NPN 晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-23封装
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射频RF双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW
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晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 100 hFE
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Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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# INFINEON BFR183E6327HTSA1 TRANSISTOR, RF, AEC-Q101, NPN, SOT-23-3 New
Win Source:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 / RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23
频率 8000 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 65.0 mA
针脚数 3
耗散功率 450 mW
输入电容 1.1 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 17.5 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @15mA, 8V
额定功率Max 450 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 450 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99