BFR183E6327HTSA1

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BFR183E6327HTSA1概述

INFINEON  BFR183E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 100 hFE 新

射频双极,


得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3


立创商城:
BFR183E6327HTSA1


欧时:
Infineon BFR183E6327HTSA1 NPN 晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 65mA 450mW


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晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 100 hFE


艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 3-Pin SOT-23 T/R


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Trans GP BJT NPN 12V 0.065A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


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# INFINEON  BFR183E6327HTSA1  TRANSISTOR, RF, AEC-Q101, NPN, SOT-23-3 New


Win Source:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 / RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT23


BFR183E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 8000 MHz

额定电压DC 12.0 V

额定电流 65.0 mA

针脚数 3

耗散功率 450 mW

输入电容 1.1 pF

击穿电压集电极-发射极 12 V

增益 17.5 dB

最小电流放大倍数hFE 70 @15mA, 8V

额定功率Max 450 mW

直流电流增益hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 450 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFR183E6327HTSA1
型号: BFR183E6327HTSA1
描述:INFINEON  BFR183E6327HTSA1  晶体管 双极-射频, AEC-Q101, NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 100 hFE 新

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