BSN20,235

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BSN20,235中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 830mW Tc

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 0.173A

输入电容Ciss 25pF @10VVds

额定功率Max 830 mW

耗散功率Max 830mW Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSN20,235
型号: BSN20,235
制造商: NXP 恩智浦
描述:BSN20 - N沟道TrenchMOS极低电平FET
替代型号BSN20,235
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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