BC337G

BC337G图片1
BC337G图片2
BC337G图片3
BC337G图片4
BC337G图片5
BC337G图片6
BC337G图片7
BC337G图片8
BC337G图片9
BC337G图片10
BC337G图片11
BC337G图片12
BC337G图片13
BC337G图片14
BC337G图片15
BC337G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC337G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFE

The is a NPN silicon bipolar Amplifier Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for medium power applications.


得捷:
TRANS NPN 45V 0.8A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 800mA 50V NPN


e络盟:
ON SEMICONDUCTOR  BC337G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Box


Allied Electronics:
NPN transistor, BC337 0.5A Ic 1Vce


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 625mW 3-Pin TO-92 Box


罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 45V 0.8A 3-Pin TO-92 Bulk


Win Source:
TRANS NPN 45V 0.8A TO92


BC337G中文资料参数规格
技术参数

频率 210 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

增益频宽积 210 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 630

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BC337G引脚图与封装图
BC337G引脚图
BC337G封装图
BC337G封装焊盘图
在线购买BC337G
型号: BC337G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC337G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 630 hFE
替代型号BC337G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC337G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

BC337ZL1

安森美

完全替代

BC337G和BC337ZL1的区别

BC33725BU

安森美

类似代替

BC337G和BC33725BU的区别

BC337RL1G

安森美

类似代替

BC337G和BC337RL1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台