BCP56-16T3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BCP56-16T3G概述

ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

通用 NPN ，最大 1A，On Semiconductor

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

BCP56-16T3G中文资料参数规格

技术参数

频率 130 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.63 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

BCP56-16T3G引脚图与封装图

在线购买BCP56-16T3G

型号： BCP56-16T3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR BCP56-16T3G Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 25 hFE 新

立即咨询

替代型号BCP56-16T3G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BCP56-16T3G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
SBCP56-16T1G 安森美	完全替代	BCP56-16T3G和SBCP56-16T1G的区别
BCP56-16T1 安森美	完全替代	BCP56-16T3G和BCP56-16T1的区别
BCP56-16T3 安森美	完全替代	BCP56-16T3G和BCP56-16T3的区别