BC63916_D27Z

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BC63916_D27Z概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC63916_D27Z  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE

小信号 NPN ,60V 至 100V, Semiconductor


欧时:
ON Semiconductor BC63916_D27Z , NPN 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:100, 50 MHz, 3引脚 TO-92封装


得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO-92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power


艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 800mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC63916_D27Z  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25


Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO-92


BC63916_D27Z中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

额定功率 800 mW

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 830 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40

最大电流放大倍数hFE 160

额定功率Max 1 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC63916_D27Z
型号: BC63916_D27Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC63916_D27Z  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE
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