ON SEMICONDUCTOR BC639-16ZL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92-3
得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR BC639-16ZL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
安富利:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Fan-Fold
TME:
Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 800mW; TO92
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO-92
频率 200 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
额定功率 800 mW
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BC639-16ZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC639G 安森美 | 类似代替 | BC639-16ZL1G和BC639G的区别 |
BC639RL1G 安森美 | 类似代替 | BC639-16ZL1G和BC639RL1G的区别 |
BC639ZL1G 安森美 | 类似代替 | BC639-16ZL1G和BC639ZL1G的区别 |