Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
射频双极，
欧时:
Infineon BFR193WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 80 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
贸泽:
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-323 T/R
立创商城:
BFR193WH6327XTSA1
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
TRANS RF NPN 12V 80MA SOT323
频率 8000 MHz
额定功率 580 mW
针脚数 3
耗散功率 580 mW
输入电容 1.8 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10.5dB ~ 16dB
最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
额定功率Max 580 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 580 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 LNA in RF Front-end, Wireless Communications, For various applications like cellular and cordless phones, DECT, Tuners, FM, and RF modems.
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99