INFINEON BFR181E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE
射频双极,
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
欧时:
Infineon BFR181E6327HTSA1 , NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 3引脚 SOT-23封装
贸泽:
射频RF双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70 hFE
艾睿:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.02A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# INFINEON BFR181E6327HTSA1 Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 175 mW, 20 mA, 70
频率 8000 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 20.0 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 175 mW
输入电容 0.35 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 18.5 dB
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 8V
额定功率Max 175 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 175 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99