BFR360FH6327XTSA1

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BFR360FH6327XTSA1概述

INFINEON  BFR360FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE

射频双极,


欧时:
Infineon BFR360FH6327XTSA1 NPN 晶体管, 35 mA, Vce=6 V, HFE:90, 14 GHz, 3引脚 TSFP封装


得捷:
RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3


贸泽:
射频RF双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR


e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE


艾睿:
Implement this BFR360FH6327XTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies into your circuit so that it can operate at higher RF frequency range. This RF transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 6V 0.035A 3-Pin TSFP T/R


Verical:
Trans RF BJT NPN 6V 0.035A 210mW Automotive 3-Pin TSFP T/R


Newark:
# INFINEON  BFR360FH6327XTSA1  Bipolar - RF Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90


Win Source:
TRANS RF NPN 6V 35MA TSFP-3


BFR360FH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 14000 MHz

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 210 mW

输入电容 0.4 pF

击穿电压集电极-发射极 9 V

增益 15.5 dB

最小电流放大倍数hFE 90 @15mA, 3V

额定功率Max 210 mW

直流电流增益hFE 90

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PG-TSFP-3

外形尺寸

长度 1.2 mm

宽度 0.8 mm

高度 0.55 mm

封装 PG-TSFP-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, Wireless, 工业, Industrial, 无线, Wireless Communications, For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BFR360FH6327XTSA1
型号: BFR360FH6327XTSA1
描述:INFINEON  BFR360FH6327XTSA1  晶体管 双极-射频, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, 90 hFE
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