ON SEMICONDUCTOR BC373RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE
Bipolar BJT Transistor NPN - Darlington 80V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS NPN DARL 80V 1A TO92
e络盟:
ON SEMICONDUCTOR BC373RL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 625 mW, 1 A, 10 hFE
艾睿:
Trans Darlington NPN 80V 1A 1500mW 3-Pin TO-92 T/R
Allied Electronics:
Trans Darlington NPN 80V 1A TO92
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 10
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC373RL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC373 安森美 | 完全替代 | BC373RL1G和BC373的区别 |
BC373RL1 安森美 | 完全替代 | BC373RL1G和BC373RL1的区别 |
BC373ZL1 安森美 | 完全替代 | BC373RL1G和BC373ZL1的区别 |