BCP5416E6327HTSA1

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BCP5416E6327HTSA1概述

SOT-223 NPN 45V 1A

Implement this versatile NPN GP BJT from Technologies into an electronic circuit to be used as a current or voltage-controlled switch or amplifier. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

BCP5416E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCP5416E6327HTSA1
型号: BCP5416E6327HTSA1
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SOT-223 NPN 45V 1A
替代型号BCP5416E6327HTSA1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCP5416E6327HTSA1

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

BCP54-16E6433

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BCP5416E6327HTSA1和BCP54-16E6433的区别

BCP54-16E6327

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BCP5416E6327HTSA1和BCP54-16E6327的区别

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