高电流晶体管 High Current Transistors
- 双极 BJT - 单 NPN 80 V 1 A 200MHz 625 mW 通孔 TO-92（TO-226）
得捷:
TRANS NPN 80V 1A TO92
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 500mA 80V NPN
艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-92 Tape and Ammo
Win Source:
TRANS NPN 80V 1A TO-92
频率 200 MHz
额定电压DC 80.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC639ZL1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BC639G 安森美 | 类似代替 | BC639ZL1G和BC639G的区别 |
BC639RL1G 安森美 | 类似代替 | BC639ZL1G和BC639RL1G的区别 |
BC639-16ZL1G 安森美 | 类似代替 | BC639ZL1G和BC639-16ZL1G的区别 |