FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCP55 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE
The is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose medium power amplifiers and switching circuits for collector currents to 1A.
欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SOT-223 NPN GP AMP
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCP55 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
BCP55 系列 60 V CE 击穿 1.5 A PNP 通用 放大器 - SOT-223
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCP55 Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE
Win Source:
TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4
DeviceMart:
IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.50 A
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 1.5 W
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 250
额定功率Max 1.5 W
直流电流增益hFE 25
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BCP55 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BCP55TA 美台 | 功能相似 | BCP55和BCP55TA的区别 |
STN715 意法半导体 | 功能相似 | BCP55和STN715的区别 |