BCP55

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BCP55概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCP55  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE

The is a NPN Bipolar Transistor designed for general purpose medium power amplifiers and switching circuits for collector currents to 1A.

.
Sourced from process 38
.
-55 to 150°C Operating junction temperature range

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT SOT-223 NPN GP AMP


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCP55  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
BCP55 系列 60 V CE 击穿 1.5 A PNP 通用 放大器 - SOT-223


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCP55  Bipolar BJT Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE


Win Source:
TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4


DeviceMart:
IC TRANS NPN SS GP 1.5A SOT223-4


BCP55中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 1.50 A

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 250

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 25

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCP55
型号: BCP55
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BCP55  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 1.5 W, 1.5 A, 25 hFE
替代型号BCP55
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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