BC847S

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BC847S概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 200MA/0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 110~630 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications |   NPN型Multi-chip通用放大器   该设备是专为通用放大器应用在收集器 技术文档PDF下载 | 在线阅读


欧时:
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e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, 200mA, SC-70


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Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


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Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


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BC847S NPN 300 mW 45 V 200 mA 多芯片 通用 放大器 - SC-70-6


Verical:
Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 6-Pin SC-70 T/R


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# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  Bipolar Transistor Array, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70


DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 45V 200MA SC70-6


Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.2A SC70-6


BC847S中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 200 mA

针脚数 6

极性 NPN

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

额定功率Max 300 mW

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC847S
型号: BC847S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC847S  双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
替代型号BC847S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC847S

Fairchild 飞兆/仙童

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