FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO | 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO | 45V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC | 200MA/0.2A 截止频率fT Transtion FrequencyfT | 200MHZ 直流电流增益hFE DC Current GainhFE | 110~630 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V 耗散功率Pc Power Dissipation | 300MW/0.3W 描述与应用 Description & Applications | NPN型Multi-chip通用放大器 该设备是专为通用放大器应用在收集器 技术文档PDF下载 | 在线阅读
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### 双路和四路多片晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BC847S NPN 300 mW 45 V 200 mA 多芯片 通用 放大器 - SC-70-6
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# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S Bipolar Transistor Array, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
DeviceMart:
TRANSISTOR NPN 45V 200MA SC70-6
Win Source:
TRANS 2NPN 45V 0.2A SC70-6
频率 200 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 200 mA
针脚数 6
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
直流电流增益hFE 110
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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