BCM857BV,115

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BCM857BV,115中文资料参数规格
技术参数

频率 175 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 450

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-666-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BCM857BV,115
型号: BCM857BV,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:BCM857 系列 45 V 0.1 A PNP 通用 晶体管 - SOT-666-6
替代型号BCM857BV,115
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