频率 175 MHz
极性 PNP
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-666-6
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-666-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCM857BV,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
BCM857BV,315 恩智浦 | 类似代替 | BCM857BV,115和BCM857BV,315的区别 |