DFN-D NPN 60V 1A
Bipolar BJT Transistor NPN 60 V 1 A 180MHz 420 mW Surface Mount DFN2020D-3
得捷: IC TRANS NPN 1A 60 SOT1061
艾睿: NPN Medium Power Transistors
极性 NPN
耗散功率 420 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 420 mW
耗散功率Max 420 mW
安装方式 Surface Mount
封装 DFN2020D-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 无铅
数据手册