BF422G参数规格_中文资料_数据手册PDF

BF422G概述

ON SEMICONDUCTOR BF422G 双极性晶体管, NPN, 250V TO-92

Bipolar BJT Transistor NPN 250V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS NPN 250V 0.05A TO92

e络盟:
ON SEMICONDUCTOR BF422G 双极性晶体管, NPN, 250V TO-92

艾睿:
Trans GP BJT NPN 250V 0.1A 3-Pin TO-92 Box

安富利:
Trans GP BJT NPN 250V 0.1A 3-Pin TO-92 Box

BF422G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 50.0 mA

极性 NPN

耗散功率 830 mW

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V

额定功率Max 830 mW

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BF422G

描述：ON SEMICONDUCTOR BF422G 双极性晶体管, NPN, 250V TO-92

替代型号BF422G