BC327-40ZL1G

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BC327-40ZL1G概述

ON SEMICONDUCTOR  BC327-40ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 260 MHz, 1.5 W, -800 mA, 250 hFE

Do you require a transistor in your circuit operating in the high-voltage range? This PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by , is your solution. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 1500 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.

BC327-40ZL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 260 MHz

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -800 mA

针脚数 3

极性 PNP

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 260 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC327-40ZL1G
型号: BC327-40ZL1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  BC327-40ZL1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 260 MHz, 1.5 W, -800 mA, 250 hFE
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