晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
RF NPN 12V 80mA 8GHz 580mW 表面贴装型 PG-SOT23
得捷:
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
欧时:
Infineon BF771E6327HTSA1
e络盟:
晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE
艾睿:
The BF771E6327HTSA1 RF amplifier from Infineon Technologies can provide you an alternative to traditional BJTs in that it can work with higher radio frequencies. This RF transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
频率 8000 MHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 80.0 mA
针脚数 3
耗散功率 580 mW
输入电容 2.25 pF
击穿电压集电极-发射极 12 V
增益 10dB ~ 15dB
最小电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V
额定功率Max 580 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 580 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99