BYG10M-E3/TR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

BYG10M-E3/TR3概述

BYG10M-E3/TR3 Diode Stand ard Recovery Rectifier 1K V 1.5A 2Pin SMA T/R RoHS

Diode Avalanche 1000V 1.5A Surface Mount DO-214AC SMA

得捷:
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

艾睿:
Diode Switching 1KV 1.5A 2-Pin SMA T/R

BYG10M-E3/TR3中文资料参数规格

技术参数

正向电压 1.15V @1.5A

反向恢复时间 4 µs

正向电压Max 1.15V @1.5A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AC

外形尺寸

封装 DO-214AC

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BYG10M-E3/TR3

型号： BYG10M-E3/TR3

描述：BYG10M-E3/TR3 Diode Stand ard Recovery Rectifier 1K V 1.5A 2Pin SMA T/R RoHS

替代型号BYG10M-E3/TR3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BYG10M-E3/TR3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BYG10M-E3/TR 威世	类似代替	BYG10M-E3/TR3和BYG10M-E3/TR的区别
BYG10MHE3/TR 威世	类似代替	BYG10M-E3/TR3和BYG10MHE3/TR的区别
BYG10MHE3/TR3 威世	类似代替	BYG10M-E3/TR3和BYG10MHE3/TR3的区别